Pesquisadores chineses descobriram um novo mecanismo para desenvolver dispositivos de memória não volátil com velocidade ultra alta, informou o Instituto de Física da Academia Chinesa de Ciências (CAS) na terça-feira.
O desenvolvimento de dispositivos de memória de alto desempenho tem papel fundamental na inovação eletrônica moderna, por causa da alta capacidade e confiabilidade mecânica.
Esses dispositivos podem realizar operações de leitura e gravação na faixa de 20 nanossegundos e manter os dados por pelo menos dez anos. Os dispositivos de memória flash comerciais atuais leem e gravam dados na faixa de 100 mil nanossegundos.
A pesquisa, financiada pela Fundação Nacional de Ciência Natural da China, Ministério da Ciência e Tecnologia e CAS, foi publicada online na revista Nature Nanotechnology na segunda-feira.
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